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TSM170N06CH C5G Image

Taiwan Semiconductor Corporation TSM170N06CH C5G

Numéro de pièce MFG
TSM170N06CH C5G
quantité disponible
26660 Pièces
Prix de référence
USD 0.68
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Date d'expédition
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fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
Brève description
- MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO251
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TSM170N06CH C5G.pdf
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TSM170N06CH C5G Caractéristiques

Référence fabricant TSM170N06CH C5G
Numéro de pièce future FT-TSM170N06CH C5G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
TSM170N06CH C5G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 46W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-251 (IPAK)
Paquet / caisse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM170N06CH C5G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TSM170N06CH C5G-FT

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