maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / TPH2R306NH,L1Q
Référence fabricant | TPH2R306NH,L1Q |
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Numéro de pièce future | FT-TPH2R306NH,L1Q |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | U-MOSVIII-H |
TPH2R306NH,L1Q Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 60A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6100pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.6W (Ta), 78W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP Advance (5x5) |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPH2R306NH,L1Q Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPH2R306NH,L1Q-FT |
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