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Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360(TE12L,F)

Name: 2SJ360(TE12L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SJ360(TE12L,F)
Availability: InStock
Rating: 4.6 (59 reviews)

Numéro de pièce MFG: 2SJ360(TE12L,F)

quantité disponible: 79260 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: - MOSFET P-CH 60V 1A SC-62

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: 2SJ360(TE12L,F).pdf

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2SJ360(TE12L,F) Caractéristiques

Référence fabricant	2SJ360(TE12L,F)
Numéro de pièce future	FT-2SJ360(TE12L,F)
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
2SJ360(TE12L,F) Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	730 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	155pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PW-MINI
Paquet / caisse	TO-243AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SJ360(TE12L,F) Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	2SJ360(TE12L,F)-FT

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