maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TPD2E001DRSR
Référence fabricant | TPD2E001DRSR |
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Numéro de pièce future | FT-TPD2E001DRSR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TPD2E001DRSR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Steering (Rail to Rail) |
Canaux Unidirectionnels | 2 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5.5V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 11V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | Yes |
Applications | Ethernet |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SON-EP (3x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD2E001DRSR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPD2E001DRSR-FT |
DF2B7SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7M2SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7M3SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.1ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S7MSL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S8.2ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B12M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
LFE2-6E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400-5FT256C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN250-ZVQG100
Microsemi Corporation
5CEFA9F27C8N
Intel
5SGXEA3K2F40C3
Intel
10AX022E3F29E2SG
Intel
EP4CE10E22C8LN
Intel
5SGXEB6R2F43I2L
Intel
XC7A200T-2FF1156I
Xilinx Inc.