maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TPD2E001DRSR
Référence fabricant | TPD2E001DRSR |
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Numéro de pièce future | FT-TPD2E001DRSR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TPD2E001DRSR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Steering (Rail to Rail) |
Canaux Unidirectionnels | 2 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5.5V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 11V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | Yes |
Applications | Ethernet |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SON-EP (3x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD2E001DRSR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPD2E001DRSR-FT |
DF2B7SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7M2SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7M3SL,L3F
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DF2S5.1ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6M4SL,L3F
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DF2S7MSL,L3F
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DF2S8.2ASL,L3F
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DF2B12M4SL,L3F
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XC2S100E-6TQG144C
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A54SX32A-FTQ144
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XC6SLX75-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4PQ208C
Xilinx Inc.
AX250-2FG484I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
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5SGXEB5R2F40I3LN
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10AX032H2F35I2SG
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5AGXBA5D4F35I5N
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