maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / DF2B6M4SL,L3F
Référence fabricant | DF2B6M4SL,L3F |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DF2B6M4SL,L3F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DF2B6M4SL,L3F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5.5V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 5.6V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 25V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 2A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 30W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 0.2pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0201 (0603 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | SL2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF2B6M4SL,L3F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DF2B6M4SL,L3F-FT |
DF3A6.2F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A5.6CJE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2JE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2LJE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.8JE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A3.6CJE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A3.6JE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.8LJE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A5.6JE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2CJE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
XCKU035-3FFVA1156E
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
10CL016ZF484I8G
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
10M25SAE144I7G
Intel
XC2VP7-5FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160M
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19C6N
Intel