maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / DF2B12M4SL,L3F
Référence fabricant | DF2B12M4SL,L3F |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DF2B12M4SL,L3F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DF2B12M4SL,L3F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 11V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 11.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 22V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 1A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 22W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 0.2pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0201 (0603 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | SL2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF2B12M4SL,L3F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DF2B12M4SL,L3F-FT |
DF5A5.6JE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2CJE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A3.6CJE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A3.6JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2CJE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6FS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S30FS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6.8AFS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S16FS,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S400-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC4013E-4PQ208I
Xilinx Inc.
XA7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
5SGXEBBR3H43C2L
Intel
XC7A200T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27I1SG
Intel