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Référence fabricant | DF2B6.8AFS,L3M |
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Numéro de pièce future | FT-DF2B6.8AFS,L3M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DF2B6.8AFS,L3M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 5.8V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 7V (Typ) |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 1A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 9pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-923 |
Package d'appareils du fournisseur | fSC (SOD-923) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF2B6.8AFS,L3M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DF2B6.8AFS,L3M-FT |
ICTE10HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE12/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE12CHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE12HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE15CHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE15HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE18CHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE18HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE5HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE8CHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
XC4VFX40-10FFG672C
Xilinx Inc.
AX500-2FG676I
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30AQI208-3N
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel