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Référence fabricant | DF2B6.8AFS,L3M |
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Numéro de pièce future | FT-DF2B6.8AFS,L3M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DF2B6.8AFS,L3M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 5.8V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 7V (Typ) |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 1A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 9pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-923 |
Package d'appareils du fournisseur | fSC (SOD-923) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF2B6.8AFS,L3M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DF2B6.8AFS,L3M-FT |
ICTE10HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE12/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE12CHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE12HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE15CHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE15HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE18CHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE18HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE5HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE8CHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV600-5FG676C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FF1517C
Xilinx Inc.
M2GL050T-FG484
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
5SGXEA5K1F40C2L
Intel
10M40DAF672C7G
Intel
10AX032H3F35I2SG
Intel
A40MX04-FPQ100
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324I7
Intel