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Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8008(TE12L,QM)

Numéro de pièce MFG
TPCC8008(TE12L,QM)
quantité disponible
46090 Pièces
Prix de référence
USD 0.34944
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
U-MOSIV MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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TPCC8008(TE12L,QM) Caractéristiques

Référence fabricant TPCC8008(TE12L,QM)
Numéro de pièce future FT-TPCC8008(TE12L,QM)
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries U-MOSIV
TPCC8008(TE12L,QM) Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 25A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1A
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta), 30W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquet / caisse 8-PowerVDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPCC8008(TE12L,QM) Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TPCC8008(TE12L,QM)-FT

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