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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K01T(TE85L,F)

Numéro de pièce MFG
SSM3K01T(TE85L,F)
quantité disponible
70620 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
π-MOSVI MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SSM3K01T(TE85L,F).pdf
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SSM3K01T(TE85L,F) Caractéristiques

Référence fabricant SSM3K01T(TE85L,F)
Numéro de pièce future FT-SSM3K01T(TE85L,F)
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries π-MOSVI
SSM3K01T(TE85L,F) Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 1.6A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 152pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TSM
Paquet / caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM3K01T(TE85L,F) Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SSM3K01T(TE85L,F)-FT

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