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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K318T,LF

Name: SSM3K318T,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K318T,LF
Availability: InStock
Rating: 4.8 (76 reviews)

Numéro de pièce MFG: SSM3K318T,LF

quantité disponible: 96320 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSIV MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SSM3K318T,LF.pdf

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SSM3K318T,LF Caractéristiques

Référence fabricant	SSM3K318T,LF
Numéro de pièce future	FT-SSM3K318T,LF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSIV
SSM3K318T,LF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	107 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	235pF @ 30V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	700mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TSM
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM3K318T,LF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SSM3K318T,LF-FT

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