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Référence fabricant | TN0104N8-G |
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Numéro de pièce future | FT-TN0104N8-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TN0104N8-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 630mA (Tj) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 500µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.6W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-243AA (SOT-89) |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN0104N8-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TN0104N8-G-FT |
PSMN039-100YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN045-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN059-150Y,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R0-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R0-40YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R2-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R2-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R4-40YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R5-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
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5SGXMA5H2F35C2LN
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EP3SL150F780C4
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