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Référence fabricant | PSMN1R4-40YLDX |
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Numéro de pièce future | FT-PSMN1R4-40YLDX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN1R4-40YLDX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6661pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 238W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquet / caisse | SC-100, SOT-669 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN1R4-40YLDX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN1R4-40YLDX-FT |
BUK9Y107-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y11-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y12-55B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y12-80E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y15-60E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y19-100E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y19-55B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y19-55B/C2,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y21-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y22-100E,115
Nexperia USA Inc.
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel