maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK9Y15-60E,115
Référence fabricant | BUK9Y15-60E,115 |
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Numéro de pièce future | FT-BUK9Y15-60E,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9Y15-60E,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 53A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2603pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 95W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquet / caisse | SC-100, SOT-669 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9Y15-60E,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK9Y15-60E,115-FT |
BUK9Y40-55B,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R2-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R2-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y41-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y4R8-60EX
Nexperia USA Inc.
PSMN011-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN013-60YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN025-80YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R1-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R5-25YL,115
Nexperia USA Inc.
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel