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Nexperia USA Inc. PSMN1R2-25YLDX

Name: PSMN1R2-25YLDX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PSMN1R2-25YLDX
Price: 0.453416 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (730 reviews)

Numéro de pièce MFG: PSMN1R2-25YLDX

quantité disponible: 14170 Pièces

Prix de référence: USD 0.453416

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Nexperia USA Inc.

Brève description: - PSMN1R2-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: PSMN1R2-25YLDX.pdf

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PSMN1R2-25YLDX Caractéristiques

Référence fabricant	PSMN1R2-25YLDX
Numéro de pièce future	FT-PSMN1R2-25YLDX
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
PSMN1R2-25YLDX Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	60.3nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4327pF @ 12V
Caractéristique FET	Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (max)	172W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	LFPAK56, Power-SO8
Paquet / caisse	SC-100, SOT-669
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PSMN1R2-25YLDX Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	PSMN1R2-25YLDX-FT

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