maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK7Y98-80EX
Référence fabricant | BUK7Y98-80EX |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BUK7Y98-80EX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
BUK7Y98-80EX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12.3A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 498pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 37W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquet / caisse | SC-100, SOT-669 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7Y98-80EX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK7Y98-80EX-FT |
PSMN1R2-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R4-30YLDX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y18-75B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y104-100B,115
Nexperia USA Inc.
PSMN4R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y65-100EX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y40-55B,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R2-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R2-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y41-80EX
Nexperia USA Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel