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Toshiba Semiconductor and Storage TK80S06K3L(T6L1,NQ

Name: TK80S06K3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK80S06K3L(T6L1,NQ
Price: 0.7 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (251 reviews)

Numéro de pièce MFG: TK80S06K3L(T6L1,NQ

quantité disponible: 57660 Pièces

Prix de référence: USD 0.7

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSIV MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TK80S06K3L(T6L1,NQ.pdf

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TK80S06K3L(T6L1,NQ Caractéristiques

Référence fabricant	TK80S06K3L(T6L1,NQ
Numéro de pièce future	FT-TK80S06K3L(T6L1,NQ
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSIV
TK80S06K3L(T6L1,NQ Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	80A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	85nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4200pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	100W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DPAK+
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK80S06K3L(T6L1,NQ Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TK80S06K3L(T6L1,NQ-FT

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