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IXYS IXCY01N90E

Numéro de pièce MFG
IXCY01N90E
quantité disponible
55220 Pièces
Prix de référence
USD 0
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fabricant
IXYS
Brève description
- MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IXCY01N90E Caractéristiques

Référence fabricant IXCY01N90E
Numéro de pièce future FT-IXCY01N90E
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IXCY01N90E Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 900V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 250mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 133pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-252
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXCY01N90E Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXCY01N90E-FT

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