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Toshiba Semiconductor and Storage TK7A60W,S4VX

Numéro de pièce MFG
TK7A60W,S4VX
quantité disponible
65300 Pièces
Prix de référence
USD 1.24
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
DTMOSIV MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TK7A60W,S4VX.pdf
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TK7A60W,S4VX Caractéristiques

Référence fabricant TK7A60W,S4VX
Numéro de pièce future FT-TK7A60W,S4VX
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries DTMOSIV
TK7A60W,S4VX Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 350µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 300V
Caractéristique FET Super Junction
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220SIS
Paquet / caisse TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK7A60W,S4VX Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TK7A60W,S4VX-FT

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