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Vishay Siliconix IRFIBE30G

Name: IRFIBE30G
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFIBE30G
Availability: InStock
Rating: 4.9 (184 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRFIBE30G

quantité disponible: 52360 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Siliconix

Brève description: - MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRFIBE30G.pdf

IRFIBE30G Caractéristiques

Référence fabricant	IRFIBE30G
Numéro de pièce future	FT-IRFIBE30G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
IRFIBE30G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	78nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	35W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220-3
Paquet / caisse	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFIBE30G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRFIBE30G-FT

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