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Vishay Siliconix IRFIB7N50A

Numéro de pièce MFG
IRFIB7N50A
quantité disponible
99410 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
- MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRFIB7N50A.pdf
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IRFIB7N50A Caractéristiques

Référence fabricant IRFIB7N50A
Numéro de pièce future FT-IRFIB7N50A
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IRFIB7N50A Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1423pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220-3
Paquet / caisse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFIB7N50A Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRFIB7N50A-FT

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