maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / TK2Q60D(Q)
Référence fabricant | TK2Q60D(Q) |
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Numéro de pièce future | FT-TK2Q60D(Q) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | π-MOSVII |
TK2Q60D(Q) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 60W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PW-MOLD2 |
Paquet / caisse | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK2Q60D(Q) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TK2Q60D(Q)-FT |
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