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Toshiba Semiconductor and Storage TP89R103NL,LQ

Name: TP89R103NL,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TP89R103NL,LQ
Price: 0.203 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (286 reviews)

Numéro de pièce MFG: TP89R103NL,LQ

quantité disponible: 44700 Pièces

Prix de référence: USD 0.203

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSVIII-H MOSFET N CH 30V 15A 8SOP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TP89R103NL,LQ.pdf

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TP89R103NL,LQ Caractéristiques

Référence fabricant	TP89R103NL,LQ
Numéro de pièce future	FT-TP89R103NL,LQ
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSVIII-H
TP89R103NL,LQ Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	15A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.1 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	820pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-SOP
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TP89R103NL,LQ Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TP89R103NL,LQ-FT

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