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Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N15FE(TE85L,F)

Name: SSM5N15FE(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM5N15FE(TE85L,F)
Price: 0.064 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (199 reviews)

Numéro de pièce MFG: SSM5N15FE(TE85L,F)

quantité disponible: 39090 Pièces

Prix de référence: USD 0.064

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: π-MOSVI MOSFET N-CH 30V 100MA ESV

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SSM5N15FE(TE85L,F).pdf

SSM5N15FE(TE85L,F) Caractéristiques

Référence fabricant	SSM5N15FE(TE85L,F)
Numéro de pièce future	FT-SSM5N15FE(TE85L,F)
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	π-MOSVI
SSM5N15FE(TE85L,F) Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	100mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7.8pF @ 3V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	150mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	ESV
Paquet / caisse	SOT-553
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM5N15FE(TE85L,F) Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SSM5N15FE(TE85L,F)-FT

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