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Référence fabricant | SSM5N15FE(TE85L,F) |
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Numéro de pièce future | FT-SSM5N15FE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | π-MOSVI |
SSM5N15FE(TE85L,F) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7.8pF @ 3V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 150mW (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | ESV |
Paquet / caisse | SOT-553 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM5N15FE(TE85L,F) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SSM5N15FE(TE85L,F)-FT |
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M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
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XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
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EP20K100EBI356-2X
Intel