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Toshiba Semiconductor and Storage TP86R203NL,LQ

Name: TP86R203NL,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TP86R203NL,LQ
Price: 0.2726 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (591 reviews)

Numéro de pièce MFG: TP86R203NL,LQ

quantité disponible: 88760 Pièces

Prix de référence: USD 0.2726

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSVIII-H MOSFET N CH 30V 19A 8SOP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TP86R203NL,LQ.pdf

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TP86R203NL,LQ Caractéristiques

Référence fabricant	TP86R203NL,LQ
Numéro de pièce future	FT-TP86R203NL,LQ
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSVIII-H
TP86R203NL,LQ Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	19A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.2 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-SOP
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TP86R203NL,LQ Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TP86R203NL,LQ-FT

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