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Référence fabricant | TK17A80W,S4X |
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Numéro de pièce future | FT-TK17A80W,S4X |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DTMOSIV |
TK17A80W,S4X Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 17A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 850µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 300V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 45W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220SIS |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK17A80W,S4X Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TK17A80W,S4X-FT |
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
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TK30S06K3L(T6L1,NQ
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TK35S04K3L(T6L1,NQ
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XC4005E-1PQ100C
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XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
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10AX048K2F35E2LG
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EP4S100G5F45I3
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A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel