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Toshiba Semiconductor and Storage TK35S04K3L(T6L1,NQ

Numéro de pièce MFG
TK35S04K3L(T6L1,NQ
quantité disponible
62140 Pièces
Prix de référence
USD 0.4144
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
U-MOSIV MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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TK35S04K3L(T6L1,NQ Caractéristiques

Référence fabricant TK35S04K3L(T6L1,NQ
Numéro de pièce future FT-TK35S04K3L(T6L1,NQ
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries U-MOSIV
TK35S04K3L(T6L1,NQ Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 35A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.3 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1370pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 58W (Tc)
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DPAK+
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK35S04K3L(T6L1,NQ Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TK35S04K3L(T6L1,NQ-FT

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