maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRLR8503TRL
Référence fabricant | IRLR8503TRL |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRLR8503TRL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRLR8503TRL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 44A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1650pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 62W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-Pak |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLR8503TRL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRLR8503TRL-FT |
IRLR3714
Infineon Technologies
IRLR3714PBF
Infineon Technologies
IRLR3714TRL
Infineon Technologies
IRLR3714TRLPBF
Infineon Technologies
IRLR3714TRPBF
Infineon Technologies
IRLR3714TRR
Infineon Technologies
IRLR3714TRRPBF
Infineon Technologies
IRLR3714Z
Infineon Technologies
IRLR3714ZPBF
Infineon Technologies
IRLR3714ZTR
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel