maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / TC8020K6-G
Référence fabricant | TC8020K6-G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-TC8020K6-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TC8020K6-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 6 N and 6 P-Channel |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Puissance - Max | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 56-VFQFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 56-QFN (8x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC8020K6-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TC8020K6-G-FT |
NTLUD4C26NTAG
ON Semiconductor
NTLUD4C26NTBG
ON Semiconductor
NTLUD3191PZTAG
ON Semiconductor
NTLUD3191PZTBG
ON Semiconductor
CPH6635-TL-H
ON Semiconductor
EFC6601R-TR
ON Semiconductor
EFC6601R-A-TR
ON Semiconductor
EFC6602R-A-TR
ON Semiconductor
EFC6602R-TR
ON Semiconductor
EFC6605R-TR
ON Semiconductor
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
M2GL060-FCSG325
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG176
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6N
Intel
5SGSMD6N2F45I3LN
Intel
5SGXEABK3H40C2N
Intel
XC7K70T-2FBG484I
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FFG1154I
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-1FFG1923I
Xilinx Inc.