maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / TC8020K6-G
Référence fabricant | TC8020K6-G |
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Numéro de pièce future | FT-TC8020K6-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TC8020K6-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 6 N and 6 P-Channel |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Puissance - Max | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 56-VFQFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 56-QFN (8x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC8020K6-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TC8020K6-G-FT |
NTLUD4C26NTAG
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LFE2M50E-5F672C
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5CEBA5F23C7N
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