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ON Semiconductor EFC6601R-A-TR
- Numéro de pièce MFG
- EFC6601R-A-TR
- quantité disponible
- 62800 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- ON Semiconductor
- Brève description
- - MOSFET 2N-CH EFCP
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- EFC6601R-A-TR.pdf
EFC6601R-A-TR Caractéristiques
| Référence fabricant | EFC6601R-A-TR |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-EFC6601R-A-TR |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| EFC6601R-A-TR Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Caractéristique FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Drain à la tension source (Vdss) | - |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Puissance - Max | 2W |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 6-XFBGA, FCBGA |
| Package d'appareils du fournisseur | EFCP2718-6CE-020 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| EFC6601R-A-TR Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | EFC6601R-A-TR-FT |
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