maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / EFC6601R-TR
Référence fabricant | EFC6601R-TR |
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Numéro de pièce future | FT-EFC6601R-TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EFC6601R-TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-XFBGA, FCBGA |
Package d'appareils du fournisseur | EFCP2718-6CE-020 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EFC6601R-TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EFC6601R-TR-FT |
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