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STMicroelectronics STW28N65M2

Name: STW28N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STW28N65M2
Price: 2.736 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (543 reviews)

Numéro de pièce MFG: STW28N65M2

quantité disponible: 13400 Pièces

Prix de référence: USD 2.736

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: MDmesh™ M2 MOSFET N-CH 650V 20A TO247

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STW28N65M2.pdf

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STW28N65M2 Caractéristiques

Référence fabricant	STW28N65M2
Numéro de pièce future	FT-STW28N65M2
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	MDmesh™ M2
STW28N65M2 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1440pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	170W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STW28N65M2 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STW28N65M2-FT

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