maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STW28N65M2
Référence fabricant | STW28N65M2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STW28N65M2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ M2 |
STW28N65M2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1440pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 170W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STW28N65M2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STW28N65M2-FT |
STI23NM60ND
STMicroelectronics
STI24N60M2
STMicroelectronics
STI24NM65N
STMicroelectronics
STI25NM60ND
STMicroelectronics
STI30NM60N
STMicroelectronics
STI35N65M5
STMicroelectronics
STI360N4F6
STMicroelectronics
STI5N52U
STMicroelectronics
STI8N65M5
STMicroelectronics
STI90N4F3
STMicroelectronics
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation