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STMicroelectronics STI360N4F6

Name: STI360N4F6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STI360N4F6
Availability: InStock
Rating: 4.6 (700 reviews)

Numéro de pièce MFG: STI360N4F6

quantité disponible: 60390 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STI360N4F6.pdf

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STI360N4F6 Caractéristiques

Référence fabricant	STI360N4F6
Numéro de pièce future	FT-STI360N4F6
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
STI360N4F6 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	340nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	17930pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	I2PAK (TO-262)
Paquet / caisse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STI360N4F6 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STI360N4F6-FT

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