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Référence fabricant | STFW40N60M2 |
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Numéro de pièce future | FT-STFW40N60M2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ II Plus |
STFW40N60M2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 34A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 63W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | ISOWATT-218FX |
Paquet / caisse | ISOWATT218FX |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STFW40N60M2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STFW40N60M2-FT |
CSD17581Q5A
Texas Instruments
CSD18511Q5A
Texas Instruments
CSD18513Q5A
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CSD17510Q5A
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CSD17552Q5A
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LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel