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Référence fabricant | STFW12N120K5 |
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Numéro de pièce future | FT-STFW12N120K5 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ K5 |
STFW12N120K5 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 690 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 44.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 63W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | ISOWATT-218FX |
Paquet / caisse | ISOWATT218FX |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STFW12N120K5 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STFW12N120K5-FT |
CSD17327Q5A
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CSD17305Q5A
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LCMXO1200E-5T144C
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A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
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A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
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Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
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EP4CE10E22C9L
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LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel