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STMicroelectronics STI30NM60N

Name: STI30NM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STI30NM60N
Availability: InStock
Rating: 4.5 (799 reviews)

Numéro de pièce MFG: STI30NM60N

quantité disponible: 77700 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: MDmesh™ II MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STI30NM60N.pdf

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STI30NM60N Caractéristiques

Référence fabricant	STI30NM60N
Numéro de pièce future	FT-STI30NM60N
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	MDmesh™ II
STI30NM60N Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	91nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	190W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	I2PAK (TO-262)
Paquet / caisse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STI30NM60N Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STI30NM60N-FT

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