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Taiwan Semiconductor Corporation TSM4ND65CI

Name: TSM4ND65CI
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM4ND65CI
Price: 0.912 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (45 reviews)

Numéro de pièce MFG: TSM4ND65CI

quantité disponible: 39430 Pièces

Prix de référence: USD 0.912

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description: - 650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TSM4ND65CI.pdf

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TSM4ND65CI Caractéristiques

Référence fabricant	TSM4ND65CI
Numéro de pièce future	FT-TSM4ND65CI
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
TSM4ND65CI Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	16.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	596pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	41.6W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	ITO-220
Paquet / caisse	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM4ND65CI Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TSM4ND65CI-FT

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