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STMicroelectronics STW11NM80

Numéro de pièce MFG
STW11NM80
quantité disponible
47010 Pièces
Prix de référence
USD 5.928
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Date d'expédition
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
MDmesh™ MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
STW11NM80.pdf
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STW11NM80 Caractéristiques

Référence fabricant STW11NM80
Numéro de pièce future FT-STW11NM80
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries MDmesh™
STW11NM80 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 43.6nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1630pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-247-3
Paquet / caisse TO-247-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STW11NM80 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STW11NM80-FT

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