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Référence fabricant | STW18N60M2 |
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Numéro de pièce future | FT-STW18N60M2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ II Plus |
STW18N60M2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 13A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 791pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 110W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STW18N60M2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STW18N60M2-FT |
STI18NM60N
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STI19NM65N
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LCMXO2-7000HE-6TG144C
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EP1K50TC144-3N
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XC6SLX9-L1FT256C
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EP4SGX360KF43C2
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Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
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LCMXO3LF-1300E-5MG121I
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5CGXFC7C6U19A7N
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