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Référence fabricant | STU6N90K5 |
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Numéro de pièce future | FT-STU6N90K5 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ K5 |
STU6N90K5 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 900V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 110W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | IPAK (TO-251) |
Paquet / caisse | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STU6N90K5 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STU6N90K5-FT |
TSM650P03CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM126CX RFG
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TSM500P02CX RFG
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XA3S400A-4FTG256I
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A54SX72A-1FG484M
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ICE40UP3K-UWG30ITR1K
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EP4SE530H35C4N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel