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Référence fabricant | TSM2311CX RFG |
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Numéro de pièce future | FT-TSM2311CX RFG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TSM2311CX RFG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 6V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 900mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM2311CX RFG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TSM2311CX RFG-FT |
TSM3N80CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM3N90CZ C0G
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TSM60NB099CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel