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STMicroelectronics STS9P2UH7

Numéro de pièce MFG
STS9P2UH7
quantité disponible
96940 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
STripFET™ MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
STS9P2UH7.pdf
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STS9P2UH7 Caractéristiques

Référence fabricant STS9P2UH7
Numéro de pièce future FT-STS9P2UH7
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries STripFET™
STS9P2UH7 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2390pF @ 16V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.7W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-SO
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STS9P2UH7 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STS9P2UH7-FT

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