maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STL11N60M2-EP
Référence fabricant | STL11N60M2-EP |
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Numéro de pièce future | FT-STL11N60M2-EP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ M2-EP |
STL11N60M2-EP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerFlat™ (5x6) HV |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL11N60M2-EP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STL11N60M2-EP-FT |
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