maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STL11N60M2-EP
Référence fabricant | STL11N60M2-EP |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STL11N60M2-EP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ M2-EP |
STL11N60M2-EP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerFlat™ (5x6) HV |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL11N60M2-EP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STL11N60M2-EP-FT |
STB9NK80Z
STMicroelectronics
STB9NK90Z
STMicroelectronics
STB100NH02LT4
STMicroelectronics
STB10NK60ZT4
STMicroelectronics
STB11NM60FDT4
STMicroelectronics
STB11NM60T4
STMicroelectronics
STB11NM80T4
STMicroelectronics
STB12NM50FDT4
STMicroelectronics
STB12NM50N
STMicroelectronics
STB12NM60N
STMicroelectronics
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation