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STMicroelectronics STL4N10F7

Name: STL4N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: STL4N10F7
Price: 0.770504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (742 reviews)

Numéro de pièce MFG: STL4N10F7

quantité disponible: 32750 Pièces

Prix de référence: USD 0.770504

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: DeepGATE™, STripFET™ VII MOSFET N-CH 100V 4.5A 8PWRFLAT

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STL4N10F7.pdf

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STL4N10F7 Caractéristiques

Référence fabricant	STL4N10F7
Numéro de pièce future	FT-STL4N10F7
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	DeepGATE™, STripFET™ VII
STL4N10F7 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4.5A (Ta), 18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 2.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	408pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.9W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PowerFlat™ (3.3x3.3)
Paquet / caisse	8-PowerVDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STL4N10F7 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STL4N10F7-FT

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