maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / STS2DNF30L
Référence fabricant | STS2DNF30L |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STS2DNF30L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | STripFET™ |
STS2DNF30L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 121pF @ 25V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STS2DNF30L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STS2DNF30L-FT |
SSM6P36FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6N35AFE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6N56FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6N7002BFE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6N57NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6N68NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6L61NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6N67NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6P47NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6P49NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50U484C8
Intel
EP2AGZ225HF40C4N
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
XC7K325T-1FB676C
Xilinx Inc.
M2GL090-FGG676
Microsemi Corporation
EP1C20F400C8N
Intel