maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SSM6N35AFE,LF
Référence fabricant | SSM6N35AFE,LF |
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Numéro de pièce future | FT-SSM6N35AFE,LF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SSM6N35AFE,LF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 250mA (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.34nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 10V |
Puissance - Max | 250mW |
Température de fonctionnement | 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | ES6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM6N35AFE,LF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SSM6N35AFE,LF-FT |
SI3911DV-T1-E3
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Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-2PLG44I
Microsemi Corporation
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F35I5G
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EP1C6Q240C8
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