maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STP265N6F6AG
Référence fabricant | STP265N6F6AG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STP265N6F6AG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 |
STP265N6F6AG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 180A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.85 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 183nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11800pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP265N6F6AG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STP265N6F6AG-FT |
STH250N6F3-6
STMicroelectronics
STQ1NK80ZR-AP
STMicroelectronics
STQ1NK60ZR-AP
STMicroelectronics
STQ2HNK60ZR-AP
STMicroelectronics
STQ2NK60ZR-AP
STMicroelectronics
STQ1HN60K3-AP
STMicroelectronics
STQ2LN60K3-AP
STMicroelectronics
STQ3N45K3-AP
STMicroelectronics
STQ1HNK60R-AP
STMicroelectronics
STQ1NC45R-AP
STMicroelectronics
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation