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STMicroelectronics STQ1HNK60R-AP

Name: STQ1HNK60R-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: STQ1HNK60R-AP
Price: 0.195568 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (37 reviews)

Numéro de pièce MFG: STQ1HNK60R-AP

quantité disponible: 94960 Pièces

Prix de référence: USD 0.195568

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: SuperMESH™ MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STQ1HNK60R-AP.pdf

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STQ1HNK60R-AP Caractéristiques

Référence fabricant	STQ1HNK60R-AP
Numéro de pièce future	FT-STQ1HNK60R-AP
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	SuperMESH™
STQ1HNK60R-AP Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	400mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	156pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-92-3
Paquet / caisse	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STQ1HNK60R-AP Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STQ1HNK60R-AP-FT

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