maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STL18N65M2
Référence fabricant | STL18N65M2 |
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Numéro de pièce future | FT-STL18N65M2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ M2 |
STL18N65M2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 365 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 764pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 57W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerFlat™ (5x6) HV |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL18N65M2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STL18N65M2-FT |
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