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STMicroelectronics STB185N55F3

Numéro de pièce MFG
STB185N55F3
quantité disponible
28790 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
STripFET™ MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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STB185N55F3 Caractéristiques

Référence fabricant STB185N55F3
Numéro de pièce future FT-STB185N55F3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries STripFET™
STB185N55F3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 330W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur D2PAK
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB185N55F3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STB185N55F3-FT

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