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STMicroelectronics STQ1NK80ZR-AP

Name: STQ1NK80ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: STQ1NK80ZR-AP
Price: 0.269896 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (376 reviews)

Numéro de pièce MFG: STQ1NK80ZR-AP

quantité disponible: 49480 Pièces

Prix de référence: USD 0.269896

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: SuperMESH™ MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STQ1NK80ZR-AP.pdf

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STQ1NK80ZR-AP Caractéristiques

Référence fabricant	STQ1NK80ZR-AP
Numéro de pièce future	FT-STQ1NK80ZR-AP
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	SuperMESH™
STQ1NK80ZR-AP Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	300mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	160pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-92-3
Paquet / caisse	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STQ1NK80ZR-AP Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STQ1NK80ZR-AP-FT

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